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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0159
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC40GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1332
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPC40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9822
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9844
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC20GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4783
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP22N60KPBF, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP22N60KPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4806
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9300
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHB22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9313
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2698
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHB33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4481
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHB22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0966
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC30GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1382
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9838
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG47N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9332
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHP22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9430
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHP15N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9437
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFRC20TRPBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFRC20TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0663
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2691
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC40STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2705
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60ATRPBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR1N60ATRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2777
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG70N60EF-GE3, 70 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG70N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4475
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHB33N60E-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SIHB33N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4478
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SiHB28N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4504
  
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