产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
STMicroelectronics (156)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP13NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1079
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STB18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6459
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP35N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6477
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STW18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6479
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60Z, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP6NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7838
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP6NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2357
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK60ZT4, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STD5NK60ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5106
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5181
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STY80NM60N, 74 A, Vds=600 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STY80NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6803
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STB34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9500
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STD10NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9534
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STW34NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9792
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STB15NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9819
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STB21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9837
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60ZFP, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP13NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9998
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0008
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK60ZFP, 13.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP14NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0017
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP26NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0083
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0106
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STW21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0294
查看其他仓库
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STF21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2789
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF2HNK60Z, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STF2HNK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2805
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STF34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2815
搜索
STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STP5NK60ZFP, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电压 600 V,
制造商零件编号:
STP5NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2912
查看其他仓库
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号