以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6414
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9276
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127H6327, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSS127H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0112
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6924
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8497
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R160C6, 24 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R160C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4429
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R099C6, 38 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R099C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4479
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6379
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPD02N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  445-2360
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPW35N60CFD, 34 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPW35N60CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8511
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSS127
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2832
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6906XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSP135H6906XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8491
  
• 
  搜索

• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 SPP03N60S5, 3.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPP03N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6341
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6391
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60C3, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3348
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSS126
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2838
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW60R280E6, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2239
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2260
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2315
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R950C6, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2327
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R385CP, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R385CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2925
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60S5, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6408
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126, 17 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  BSS126
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8245
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R520E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6928
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 600 V,
• 制造商零件编号：
  IPD60R750E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4482
  
• 
  搜索