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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXTP36N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-622
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-739
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQP14N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5039
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FDB14N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8949
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFT94N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4483
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQP3N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5872
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA44N30, 43 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQA44N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8988
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4409, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP4409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5069
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB210N30P3, 210 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFB210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0987
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  STY60NK30Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1572
  
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• NXP Si P沟道 MOSFET BSP230,135, 210 mA, Vds=300 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  BSP230,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8372
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STW75NF30, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  STW75NF30
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2938
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8947
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH50N30Q3, 50 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH50N30Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1398
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT50N30Q3, 50 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFT50N30Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1477
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK150N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4398
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFX150N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4495
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2530N3-G, 175 mA, Vds=300 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  DN2530N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3320
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4733
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4137PBF, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4137PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4739
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH52N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0723
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH88N30P, 88 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH88N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0732
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXTP36N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0739
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0748
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH52N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-537
  
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