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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  539-4990
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4845
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4020H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3201
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3944
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3947
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBA90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3950
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3966
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4091
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5787
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 44 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5803
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU13N20DPBF, 13 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU13N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5847
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A H, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2214
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  BSC900N20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4400
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFD, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IPP120N20NFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4422
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3972
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP250NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4810
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRF640NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4817
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5025
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  298-342
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149 H6906, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  BSP149 H6906
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7462
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  BSP149
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5720
  
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