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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1575
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STW12NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1995
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPA90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7149
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7434
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPA90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9088
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK90Z, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STP3NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7636
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STW9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8623
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBF20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9541
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NK90ZT4, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STD3NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5099
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD2NK90ZT4, 2.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STD2NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5100
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STP6NK90ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5336
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPW90R120C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3077
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STP9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0213
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3564,S5Q(J, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3564,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4810
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  FQB5N90TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9001
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0065090D, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  C3M0065090D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  915-8836
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STW9NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8862
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  FQA11N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4890
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  FQA9N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4985
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP9N90C, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  FQP9N90C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5206
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB6NK90ZT4, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STB6NK90ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5140
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPW90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8390
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK90Z, 9.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  STW11NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0266
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3565,S5Q(J, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3565,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4814
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 900 V,
• 制造商零件编号：
  IPI90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6823
  
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