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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFX30N100Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-947
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1146
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG20PBF, 1.4 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IRFBG20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9563
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N100TM, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  FQD2N100TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0999
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STP8NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5285
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STD3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9900
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFK32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1409
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFR15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1430
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFT18N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1461
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFN32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7574
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N100Q3, 38 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFN44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7577
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  FQH8N100C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5857
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4508
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STF8NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6667
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1573
  
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• IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N100L, 12 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXTH12N100L
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  686-7840
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STU2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STU2NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0238
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IXFX32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1487
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F44N100Q3, 30 A, Vds=1000 V, 24引脚 SMPD封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F44N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2516
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STD3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1987
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IRFPG50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1095
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  IRFPG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9917
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  FQA8N100C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4972
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STW13NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5248
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 1000 v,
• 制造商零件编号：
  STW11NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5318
  
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