产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DiodesZetex (1)
Fairchild Semiconductor (26)
Infineon (19)
IXYS (21)
ON Semiconductor (1)
STMicroelectronics (74)
Toshiba (6)
Vishay (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STF25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2011
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
IRFPE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9872
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE40PBF, 5.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
IRFPE40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9888
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB4N80TM, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
FQB4N80TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0908
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB6N80TM, 5.8 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
FQB6N80TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0927
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
FQP8N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5199
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
FQPF6N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5290
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
FQPF7N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5310
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STF11NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5239
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP12NK80Z, 10.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP12NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5263
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP10NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5273
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP3NK80Z, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP3NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5370
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP7NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1085
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
SPB17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8482
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
SPP04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3197
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STB7NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9516
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP8NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0190
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP18NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0584
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STW18NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0626
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STL8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7706
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STP13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7807
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STU7N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7946
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STD7N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9305
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电压 800 V,
制造商零件编号:
STB13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5704
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号