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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI8439DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9260
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040WH6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-343封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  BF2040WH6814
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8429
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130H6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  BG3130H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8472
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130RH6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  BG3130RH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8475
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD22204WT, 5 A, Vds=8 V, 9引脚 DSBGA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  CSD22204WT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9908
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4249
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3248
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  NTR2101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4739
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  NTR2101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5274
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1315DL-T1-GE3, 700 mA, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI1315DL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3057
  
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• Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040E6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  BF2040E6814
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9263
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0269
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTS2101PT1G, 1.5 A, Vds=8 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  NTS2101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4755
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI8416DB-T2-E1, 16 A, Vds=8 V, 6引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI8416DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9266
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9276
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1050X-T1-GE3, 1.34 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-89封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI1050X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3035
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8805EDB-T2-E1, 2.5 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI8805EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1431
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23203WT, 3 A, Vds=8 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  CSD23203WT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9949
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTGD1100LT1G, 3.3 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  NTGD1100LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0551
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  NTJD1155LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0605
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2329DS-T1-GE3, 6 A, Vds=8 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI2329DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3114
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3499DV-T1-GE3, 3.9 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 8 V,
• 制造商零件编号：
  SI3499DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3173
  
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