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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R4-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8125
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IRF2807PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2569
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3512, 3 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FDC3512
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9011
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86322
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9642
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS039N08B, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS039N08B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5908
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86320, 10.7 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86320
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1193
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A，39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2908
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9221
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  SI7949DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9011
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  STP270N8F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7829
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN045-80YS, 24 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN045-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2889
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4980
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  TK72A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5194
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3890, 4.7 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FDS3890
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3630
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2337DS-T1-GE3, 1.75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  SI2337DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3123
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IPD053N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9102
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  CSD19506KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4903
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IPD096N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5211
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3354
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35A08N1,S4X(S, 35 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  TK35A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2350
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP028N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IPP028N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7346
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7493TRPBF, 9.3 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7493TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4960
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8128
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IPB067N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7099
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA160N08, 160 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电压 80 V,
• 制造商零件编号：
  FQA160N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4900
  
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