产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0159
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI8487DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1429
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0830
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5659
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI3447CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3154
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SIHFBC40STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2705
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC40PBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
IRFBC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9513
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFBC40APBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
IRFBC40APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9529
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4764
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI9410BDY-T1-E3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SI9410BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4777
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 6.2 A,
制造商零件编号:
SQ4431EY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3920
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