产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
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1300 pF @ -10 V(1)
2945 pF @ -10 V(1)
320 pF @ 15 V(1)
387 pF@ 10 V(1)
311 pF @ 100 V(2)
350 pF @ 15 V(1)
435 pF @ 15 V(1)
424 pF @ 15 V(1)
1275 pF @ -6 V(3)
1485 pF @ -4 V(1)
570 pF @ -25 V(1)
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64 nC @ 10 V(1)
8.2 nC @ 10 V(1)
7 nC @ 10 V(1)
9 nC @ 10 V(2)
8 nC @ 10 V(1)
10.5 nC @ 4.5 V(1)
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF6N40D-E3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SIHF6N40D-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9153
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP6N40D-GE3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SIHP6N40D-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9187
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
Si2338DS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
812-3126
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI3433CDV-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
812-3142
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI4850EY-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
919-0828
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI2333DDS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9222
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ2310ES-T1_GE3, 6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SQ2310ES-T1_GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9443
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI5936DU-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI5936DU-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
818-1356
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI4850EY-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
919-5652
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI4850EY-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
710-4730
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIB408DK-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-75封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SIB408DK-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
814-1241
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI5468DC-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI5468DC-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
818-1324
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI5471DC-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
818-1328
搜索
Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7900AEDN-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI7900AEDN-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
818-1416
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI2329DS-T1-GE3, 6 A, Vds=8 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI2329DS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
812-3114
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z24GPBF, 6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
IRFI9Z24GPBF
品牌：
Vishay
库存编号：
815-2727
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI2333DDS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
919-4220
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 6 A,
制造商零件编号：
SI2333DDS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
919-5914
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