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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IPW60R045CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8397
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS86101DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9203
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  SI7164DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9529
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STB60NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-6944
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STL60N3LLH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9120
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK32E12N1,S1X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  TK32E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5104
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ60N50P3, 60 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IXFQ60N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4461
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  CSD16323Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4707
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IRLU2905ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3414
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5360L_F085, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS5360L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8372
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS86101A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8439
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL60P4LLF6, 60 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STL60P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5689
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32A12N1,S4X(S, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  TK32A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2344
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A06N1,S4X(S, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  TK40A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2375
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF06, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STP60NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8799
  
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• Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M0040120D, 60 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  C2M0040120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  923-0711
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4332PBF, 60 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-562
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STY60NK30Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1572
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STP60NF06L, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STP60NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3704ZPBF, 60 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR3704ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4378
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4491
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP7030BL, 60 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  FDP7030BL
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4853
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD60NF06T4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  STD60NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5071
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU3704ZPBF, 60 A, Vds=20 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU3704ZPBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  688-7137
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUD50P04-13L-E3, 60 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 60 A,
• 制造商零件编号：
  SUD50P04-13L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5067
  
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