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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  STW69N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3021
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7110TRPBF, 58 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  IRFH7110TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4177
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  IRLR8729PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7248
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6412ANT4G, 58 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTB6412ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2869
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4921NT1G, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4921NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4705
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STFW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  STFW69N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3018
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2401
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB6412ANG, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTB6412ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2850
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6412ANG, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTP6412ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2967
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  SIRA14DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9389
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  IPB123N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9036
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP126N10N3 G, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  IPP126N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2273
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLI2505, 58 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRLI2505
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5034
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STFW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  STFW69N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8843
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BTS240A, 58 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-218封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  BTS240A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5859
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8880, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  FDD8880
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0151
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4809NT4G, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTD4809NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0523
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4821NT1G, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4821NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0683
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050NE2LS, 58 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  BSC050NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5340
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 58 A,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6249
  
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