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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4993
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4999
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  SPD09P06PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9074
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2863
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF520NPBF, 9.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF520NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4876
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5006
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3015LSS-13, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  DMP3015LSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-4024
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8313TRPBF, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8313TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3903
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6101
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF520NSTRLPBF, 9.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF520NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2821
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2869
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10P60W,RVQ(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2640
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8313PBF, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8313PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6894
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10E60W,S1VX(S, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  TK10E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2872
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF520NPBF, 9.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 9.7 A,
• 制造商零件编号：
  IRF520NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1180
  
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