产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
IRFD210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0531
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDY3000NZ, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
FDY3000NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0841
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2005K-7, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
DMN2005K-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2545
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206A, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
ZVN4206A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
655-559
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
SI1302DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
655-6795
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2004K-7, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
DMP2004K-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4216
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STQ3N45K3-AP, 600 mA, Vds=450 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
STQ3N45K3-AP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0590
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
IRF5801TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-631
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY302NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
FDY302NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0729
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206AV, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
ZVN4206AV
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1823
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
IRF5801TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4725
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2550UFA-7B, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
DMN2550UFA-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1060
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STN3N45K3, 600 mA, Vds=450 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
STN3N45K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9645
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 P沟道 Si MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
FDG6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4423
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Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI1016CX-T1-GE3, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
SI1016CX-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3025
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206AVSTZ, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 600 mA,
制造商零件编号:
ZVN4206AVSTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1827
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