产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFBG30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1146
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFU9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1663
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFR320TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0626
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFR9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0644
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFBG30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4508
搜索
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5882
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFR9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0395
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFU320PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4840
查看其他仓库
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9008
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
IRFPG30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9917
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2306BDS-T1-E3, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
SI2306BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4676
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI6954ADQ-T1-GE3, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
SI6954ADQ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1371
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 3.1 A,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4198
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