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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD5NK50ZT4, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  STD5NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5134
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 晶体管 NDF04N62ZG, 4.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  NDF04N62ZG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2812
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF624SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2036
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDM3622
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0371
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3248
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IPD60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3015
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  STD5N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9578
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC86139P, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC86139P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8215
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD5N50RH, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  MDD5N50RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6655
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI2305CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0269
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5891
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8018
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2526
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK52ZD, 4.4 A, Vds=520 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  STP5NK52ZD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9711
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9042
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD6N25TM, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDD6N25TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0922
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R950C6, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IPA60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2327
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4208
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET STD5NK50Z-1, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  STD5NK50Z-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5361
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STF5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  STF5N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0477
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IPB60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9500
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NTRPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3300
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU6N25, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  FDU6N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8736
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 4.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3878
  
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