产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2075U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
DMN2075U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4143
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
STD5N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9916
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3414U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
DMG3414U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4086
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
STU5N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9758
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTJS4151PT1G, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
NTJS4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0633
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502GTRPBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
IRLML2502GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5176
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMG9926UDM-7, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
DMG9926UDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2924
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD04P10PLG, 4.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
SPD04P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9064
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2305U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
DMP2305U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4256
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STP5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 4.2 A,
制造商零件编号:
STP5N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0146
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