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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI740GPBF, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI740GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9692
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE40PBF, 5.4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRFPE40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7490PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2159
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  STD7NK40ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5147
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  PMN40LN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8411
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9335PBF, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9335PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9252
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQB5N90TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9001
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  TK5A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6242
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ9945BEY-T1_GE3, 5.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  SQ9945BEY-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9474
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK40ZFP, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  STP7NK40ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-7418
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  TK5A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2404
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2B03E6TA, 5.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2B03E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2618
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7530TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-754
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD7P06TM, 5.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  FQD7P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1030
  
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• Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI7501DN-T1-E3, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  SI7501DN-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  699-7345
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN38EN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  PMN38EN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8417
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  TK5A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5160
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5P60W,RVQ(S, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  TK5P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2644
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7530TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4729
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 5.4 A,
• 制造商零件编号：
  STD7NK40ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6585
  
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