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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SIHP24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9344
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SQJ850EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9500
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4168DY-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SI4168DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3192
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SiHB24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9316
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7619DN-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SI7619DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1403
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7232DN-T1-GE3, 24 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SI7232DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1396
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 24 A,
• 制造商零件编号：
  SiHG24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9335
  
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