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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2006
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP4110PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6995
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7695
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4334
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4337
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4010
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9180
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS4030
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9256
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-2, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3707
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STP270N8F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7829
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH185N10F3-2, 180 A, Vds=100 V
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STH185N10F3-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5842
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4H1ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5182
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5189
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB011N04N G, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB011N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6918
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB016N06L3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB016N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2899
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB014N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB014N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2921
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPB010N06N, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB010N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4353
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSB014N04LX3G, 180 A, Vds=40 V, 2引脚 MG-WDSON-2封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  BSB014N04LX3GXUMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0179
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB180P04P4L-02, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB180P04P4L-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7749
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7689
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB009N03L G, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB009N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5406
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4325
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH240N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 8引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STH240N75F3-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0516
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  STH180N10F3-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0519
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N03S4L-H0, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 180 A,
• 制造商零件编号：
  IPB180N03S4L-H0
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5160
  
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