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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5159
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9300
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4249
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7716ADN-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI7716ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3389
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI5429DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9232
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA461DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9291
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA462DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1222
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI5410DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1315
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4850EY-T1-GE3, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SQ4850EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3923
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9250
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9276
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA448DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA448DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9282
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4230
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9240PBF, 12 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP9240PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0862
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530SPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9530SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4176
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIA445EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9285
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIHP12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9428
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4004DY-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SI4004DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3182
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHB12N50C-E3, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1257
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大连续漏极电流 12 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0036
  
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