产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DAWIN Electronics (1)
Fairchild Semiconductor (9)
Infineon (72)
IXYS (4)
MagnaChip (3)
Microchip (4)
Nexperia (26)
NXP (3)
ON Semiconductor (2)
Panasonic (1)
STMicroelectronics (3)
Texas Instruments (18)
Toshiba (4)
Vishay (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN4R4-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8125
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IRFH5106TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7787
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
FDMC7660
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6285
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
FDMC7660S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6288
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014N03LS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
BSC014N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8151
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IPB072N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8340
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
BSC028N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5241
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS039N08B, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
FDMS039N08B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5908
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9157
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
SIRA00DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9367
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R0-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN2R0-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2928
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R0-40YS, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN4R0-40YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2965
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R5-40PS, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN4R5-40PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2978
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R6-60BS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN4R6-60BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2987
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
PSMN5R6-100PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3003
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB100N50Q3, 100 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IXFB100N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1364
查看其他仓库
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
SQD100N04-3M6L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3939
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IPB100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5649
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IPD034N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9168
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
CSD16401Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4741
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
CSD17306Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4824
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
CSD17553Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4861
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 100 A,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号