产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRF7204PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9632
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08GTA, 5.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
ZXMN6A08GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2497
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SIHF5N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9159
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRFR9010TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0638
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRF7204TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8831
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN10H120SFG-7, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0465
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRF7314PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0294
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9435A, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
FDS9435A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0750
搜索
Vishay 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4906DY-T1-E3, 5.3 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SI4906DY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3367
查看其他仓库
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SIHP5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9184
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4189
搜索
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4925BDY-T1-E3, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SI4925BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4742
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDZ192NZ, 5.3 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
FDZ192NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4905
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG6402LDM-7, 5.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
DMG6402LDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
885-5485
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4042
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5873
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08GTA, 5.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
ZXMN6A08GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8014
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9344
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-8995
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Vishay D Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHD5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SIHD5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9147
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHU5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-251AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
SIHU5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9193
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
IRF7314TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8863
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H120SFG-13, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0529
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Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M1000170J, 5.3 A, Vds=1700 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 5.3 A,
制造商零件编号:
C2M1000170J
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
915-8833
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