产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM40N10-30-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SQM40N10-30-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3958
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SI7655DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9257
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SIRA06DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9373
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUM40N15-38-E3, 40 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SUM40N15-38-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7486
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SISA04DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9307
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SIS476DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9392
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Vishay PowerPAIR 系列 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SIZ920DT-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAIR封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SIZ920DT-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9415
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQR40N10-25-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SQR40N10-25-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1453
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD40N06-14L_GE3, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SQD40N06-14L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9484
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD40N06-14L_GE3, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 40 A,
制造商零件编号:
SQD40N06-14L-GE3
品牌:
Vishay
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