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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-6AG, 200 A, Vds=40 V, 6针+焊片 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  STH410N4F7-6AG
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6467
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6989
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-2, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  STH320N4F6-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7680
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-6, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  STH320N4F6-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7683
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KTTT, 200 A, Vds=100 V, 3引脚 DDPAK，TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  CSD19535KTTT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9885
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C430NLT1G, 200 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C430NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9903
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1404ZPBF, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  IRL1404ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7178
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7749L2TR1PBF, 200 A, Vds=60 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7749L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5371
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM200N04-1M1L-GE3, 200 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  SQM200N04-1M1L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3949
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  FDMS8350L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8417
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-2AG, 200 A, Vds=40 V, 2针+焊片 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  STH410N4F7-2AG
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6466
  
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• Semikron Si N沟道 MOSFET SKM111AR, 200 A, Vds=100 V, 4引脚 SEMITRANSM1封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 200 A,
• 制造商零件编号：
  SKM111AR
  品牌：
  Semikron
  库存编号：
  505-3188
  
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