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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-221
  
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• Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9140
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  189-0955
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2278
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF640PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0452
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRLZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1231
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N50, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4884
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STD20NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0415
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STF24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2924
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STFI20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2942
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STW24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3090
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  STB24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3103
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9235
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IXFT18N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1461
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N20FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3591
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRL640A, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRL640A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8711
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8736TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3919
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ_F126, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ_F126
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8192
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86540, 18 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  FDS86540
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8708
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4783
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NSTRLPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRLZ24NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5118
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF640NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4817
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  NTD18N06LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5121
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640SPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 18 A,
• 制造商零件编号：
  IRF640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-2464
  
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