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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STW12NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1995
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR9024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0109
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRFB11N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1944
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9844
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4211
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRF9640LPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4895
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06LTM, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  FQD13N06LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0955
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4730
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STF11NM80
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5239
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  SPW11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3213
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STB11NM60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9474
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STD13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9881
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STP13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0008
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4015SPS-13, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 POWERDI5060封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  DMP4015SPS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5175
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STF13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3640
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  STP13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3788
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  SQD19P06-60L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3936
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IPI65R310CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6729
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  SPP11N65C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8807
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  FCB11N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4923
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMA7670, 11 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  FDMA7670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8177
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707GTRPBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  IRF8707GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5774
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大连续漏极电流 11 A,
• 制造商零件编号：
  CSD17579Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3849
  
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