产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF820APBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IRF820APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9412
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IRF820PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0002
搜索
Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 D1201UK, 10 A, Vds=40 V, 3引脚 DP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
D1201UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7723
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
BSC050N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5263
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC3020DC, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
FDMC3020DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9513
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5122
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5419
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDUL03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
NDUL03N150CG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-6791
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2SK3747-1E, 2 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
2SK3747-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0730
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF720L-GE3, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
SIHF720L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2639
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
SIHF820L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2645
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
BSZ110N06NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5724
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ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
R6012ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7539
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSJ300N10TL, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-83封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
RSJ300N10TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7769
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IPD50N06S4L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9061
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
BSC110N06NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5303
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6107
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4243_F085, 14 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
FDD4243_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8082
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
FDMS86252L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8461
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL23NS3LLH7, 23 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
STL23NS3LLH7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2842
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IRFR3707ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4993
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ48GPBF, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IRFIZ48GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9865
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C460NLT1G, 78 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
NTMFS5C460NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9575
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 50 W,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9967
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