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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• Infineon OptiMOS 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET BSL316C H6327, 1.4 A，1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 PG-TDSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSL316C H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7129
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  FDN308P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0419
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  FDN337N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0429
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN352AP, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  FDN352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0447
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1084
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS332P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1087
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8259
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3030SN-7, 700 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  DMP3030SN-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4269
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2300UFB4-7B, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN2300UFB4-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5128
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7664
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSS316N, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS316N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8257
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSR315PL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9395
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS123NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0011
  
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• Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS214NWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0030
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127H6327, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS127H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0112
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS119NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0119
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSD314SPEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSD314SPEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8481
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSD816SNH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8485
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS205N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2374
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17484F4T, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  CSD17484F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9936
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS356AP, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS356AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5554
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSH103, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 500 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH103
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-7554
  
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