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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4004PBF, 350 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFP4004PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6986
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS3004PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7058
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLS3034-7PPBF, 380 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLS3034-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7257
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4115PBF, 104 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFB4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6932
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLS3036PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7263
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFB3004PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6904
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4010-7PPBF, 190 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS4010-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7086
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4115-7PPBF, 105 A, Vds=150 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRFS4115-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7099
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLB3036PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7213
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS3036-7PPBF, 300 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 380000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLS3036-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7254
  
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