产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IRFR9024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0109
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FQPF5P20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8772
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
BSZ900N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6886
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR9024N, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
AUIRFR9024N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1866
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IPP114N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5496
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS105N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IPS105N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5503
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL4N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
STL4N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5903
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF10N60NZ, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FDPF10N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3582
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
SPD03N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9389
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF5N50CYDTU, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FQPF5N50CYDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8779
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
SPA04N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2150
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Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 SPP03N60S5, 3.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
SPP03N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6341
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET RFD3055LESM9A, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
RFD3055LESM9A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-2159
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD04P10PLG, 4.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
SPD04P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9064
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NTRLPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IRFR9024NTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4085
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R2K1CE, 3.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IPD60R2K1CE
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7451
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IRFU9024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1657
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF10N20C, 9.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FQPF10N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5200
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
SPD03N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3175
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF44N25T, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FDPF44N25T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3618
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FDPF51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3620
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF30N06L, 22 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FQPF30N06L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5904
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NTRPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IRFR9024NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4088
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25CYDTU, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
FQPF9N25CYDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8785
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 38 W,
制造商零件编号:
IRFR9024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4826
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