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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  IXFR15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1430
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6255
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2417
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW77N65M5, 69 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  STW77N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0635
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK49N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5154
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5172
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK49N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6236
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH52N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0723
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-530
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5179
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6246
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK62J60W,S1VQ(O, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK62J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2408
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STW25N95K3, 22 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  STW25N95K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9780
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  TK49N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2397
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 W,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0773
  
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