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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI540NPBF, 20 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2470
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBF20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9541
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG20PBF, 1.4 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBG20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9563
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8325TR2PBF, 82 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH8325TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4375
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86160
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1206
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7635DP-T1-GE3, 21 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  SI7635DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1407
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IPG20N04S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9222
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86570L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8231
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FQP2N60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5076
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8324TR2PBF, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH8324TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4371
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8010, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC8010
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1187
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD5N60TM_WS, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FCD5N60TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1243
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD5N60TM, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FCD5N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4122
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE20PBF, 1.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRFBE20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9535
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8360L, 80 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC8360L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8212
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86260, 16 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86260
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8221
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0280090D, 11.5 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  C3M0280090D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  915-8842
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI540NPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  IRLI540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0513
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86102LZ, 8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDD86102LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9475
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86340, 48 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 54 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC86340
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8237
  
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