产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTR4170NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
NTR4170NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4745
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET NTR4171PT1G, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
NTR4171PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5286
查看其他仓库
Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
SI1922EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3091
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
RRQ030P03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7740
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9303TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRLML9303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4064
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7504TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-748
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTR4501NT1G, 3.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
NTR4501NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9146
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFML8244TRPBF, 5.8 A, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRFML8244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7219
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Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2307CX RFG, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
TSM2307CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6030
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4502PT1G, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
NTR4502PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7897
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-GE3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
SI2328DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9229
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Vishay 双 P沟道 Si MOSFET SI1967DH-T1-GE3, 1.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
SI1967DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3108
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS127SSN-7, 70 mA, Vds=600 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
BSS127SSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2176
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066LSN-7, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
DMP2066LSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2624
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N03XTA, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
ZXMD63N03XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3166
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSQ045N03TR, 4.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-95封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
RSQ045N03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7778
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ROHM N沟道 Si MOSFET RVQ040N05TR, 4 A, Vds=45 V, 6引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
RVQ040N05TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7816
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ROHM P沟道 Si MOSFET RZQ050P01TR, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 TSMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
RZQ050P01TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7822
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502GTRPBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRLML2502GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5176
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Infineon HEXFET 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET IRF7507TRPBF, 1.7 A,2.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRF7507TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-186
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.25 W,
制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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