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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86140, 11.2 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86140
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9689
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86242, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86242
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9692
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  STL110N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3726
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9052
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SQ3426EEV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9456
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4436DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3224
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SQ4410EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3911
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86540, 18 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86540
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8708
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5351, 6.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS5351
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4178
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4712DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4328
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 8引脚 Power Flat封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  STL100N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3729
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4666DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3249
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4925DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4202
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  STL110N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6648
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86240, 7.5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86240
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9190
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N10F7, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  STL60N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3741
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL90N10F7, 70 A, Vds=100 V, 8引脚 Power Flat封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  STL90N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3748
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ3419EV-T1_GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SQ3419EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9452
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI4712DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1289
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SI9407BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1444
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86141, 7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86141
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9683
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86106, 3.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86106
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9686
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86252, 4.5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS86252
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9695
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ3418EEV-T1-GE3, 8 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 5 W,
• 制造商零件编号：
  SQ3418EEV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9459
  
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