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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8114
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002KT1G, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002KT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0478
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS138P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0891
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AK, 180 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84AK
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0908
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2V7002KT1G, 320 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  2V7002KT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9361
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PS, 320 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  781-6708
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0765
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138BK, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS138BK
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0894
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327N, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG327N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3387
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327NZ, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG327NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3396
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN53D0LW-7, 360 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 420 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN53D0LW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3206
  
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