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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IPP023N10N5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7116
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9169
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7430PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9172
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4010
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9180
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8409-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1023
  
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• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7530PBF, 195 A，281 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP7530PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1558
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  SQM120N06-3m5L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3945
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8870
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19506KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4903
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KCS, 259 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19536KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4919
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDP047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4734
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH5500_F085, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDH5500_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8161
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B209, 414 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRL40B209
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7349
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KTTT, 272 A, Vds=100 V, 3引脚 DDPAK，TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19536KTTT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9857
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPT007N06N, 300 A, Vds=60 V, 8引脚 HSOF封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IPT007N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4407
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530PBF, 295 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5126
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM120N04-1m8-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m8-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9519
  
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• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7530TRL7PP, 240 A，338 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRL7PP
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1561
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM65N20-30-E3, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  SUM65N20-30-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7489
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4910
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3006GPBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB3006GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5784
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7430TRL7PP, 522 A, Vds=40 V, 6引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7430TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4202
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60B216, 305 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRL60B216
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7358
  
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