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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  SQD23N06-31L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9487
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ036NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9376
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9743
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IPD60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3015
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IRLHM620TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4410
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF39N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3614
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI520GPBF, 7.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI520GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2711
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPS65R950C6AKMA1, 4.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IPS65R950C6AKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7050
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF33N25T, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  FDPF33N25T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4166
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  SIHF30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9322
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  SQD15N06-42L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9478
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0904NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ0904NSI
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9089
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  SiHF30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4490
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z24GPBF, 6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI9Z24GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2727
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IPB60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9500
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ34NPBF, 22 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5003
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF18N50BTH, 18 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 37 W,
• 制造商零件编号：
  MDF18N50BTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4924
  
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