产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Infineon (2)
IXYS (1)
STMicroelectronics (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
IXTP62N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-316
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW13NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1573
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
IRFSL4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4123
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW56N60M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5724
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
IRFB4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-568
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW55NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1993
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW13NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5248
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW15NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5257
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW55NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0336
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW56N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5720
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 350 W,
制造商零件编号:
STW15NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6620
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号