产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7149
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA126N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2242
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHM8329TRPBF, 57 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IRFHM8329TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5001
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7780
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Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPG20N06S4L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9095
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IRLIB9343PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4485
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8467
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
SPA12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3140
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8592
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 33 W,
制造商零件编号:
IPA60R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7232
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