产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IXTP36N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-622
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Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
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STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STP80PF55
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7901
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRFB4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4744
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8441, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
FDB8441
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0343
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STB80NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5080
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
AUIRF2804S
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7734
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB072N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8340
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8832, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
FDB8832
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8999
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI260N6F6, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STI260N6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9626
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP210N75F6, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STP210N75F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9676
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STV240N75F3, 240 A, Vds=75 V, 10引脚 PowerSO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STV240N75F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0253
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRF2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0278
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-2, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STH320N4F6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7680
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-6, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STH320N4F6-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7683
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5649
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-05
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8948
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IRFB38N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3944
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI100N10S3-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4641
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI80N06S2L-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6772
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N08S2-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPI80N08S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6782
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08S2-07, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPP100N08S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6861
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
IPA60R450E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8605
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300 W,
制造商零件编号:
STP240N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7567
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