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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SPA04N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3147
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89141, 3.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDS89141
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9699
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8622, 17 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8622
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5918
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8621
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ_F126, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ_F126
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8192
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ, 32 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6260
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPS135N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5507
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7678, 63 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDMC7678
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9538
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SI5429DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9232
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SIRA12DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9386
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDS89161LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3670
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI5419DU-T1-GE3, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SI5419DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1312
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SI5410DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1315
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03LGATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPD135N03LGATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4574
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF7N60YDTU, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF7N60YDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7938
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10N G, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPD78CN10N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7242
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R380E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2906
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF7N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4768
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPD135N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5471
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET IPP147N03L G, 20 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPP147N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5490
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FDS89161
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9709
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF380N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9115
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF400N60, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  FCPF400N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1130
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  SI7852DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9250
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R385CP, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 31 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R385CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2925
  
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