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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-221
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510SPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  IRF510SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1645
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4755
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SUM110N06-3M4L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5010
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9510SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4126
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF540SPBF, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  IRF540SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4737
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9027
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF540SPBF, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  IRF540SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9852
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4195
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5655
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6068SE-13, 5.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  DMN6068SE-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4219
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5889
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4202DY-T1-GE3, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4202DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3218
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.7 W,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0837
  
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