以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRL630SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4441
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL210TRPBF, 960 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2736
  
• 
  搜索

• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A，3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI5513CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1330
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI5935CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1352
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644SPBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRF644SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9311
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRF624SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2036
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRL620SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  609-4203
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110TRPBF, 1.5 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9033
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110TRPBF, 690 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2730
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI5853DDC-T1-E3, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI5853DDC-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1343
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4189
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740SPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRF740SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9406
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL640SPBF, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRL640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0456
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830ASPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRF830ASPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4110
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI5935CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4325
  
• 
  搜索

• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5873
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-8995
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4620DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI4620DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3237
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL014TRPBF, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 3.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL014TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2733
  
• 
  搜索