产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210LPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRF5210LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3707
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL210TRPBF, 960 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRFL210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2736
搜索
Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A,3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
SI5513CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1330
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1352
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD16401Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4741
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD17553Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4861
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD18504Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4883
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD18531Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4886
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF644SPBF, 14 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRF644SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9311
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRF624SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2036
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRL620SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
609-4203
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFH9310TRPBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRFH9310TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7322
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS8935, 2.1 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
FDS8935
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9702
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110TRPBF, 1.5 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRFL110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9033
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110TRPBF, 690 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRFL9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2730
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI5853DDC-T1-E3, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
SI5853DDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1343
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD17556Q5B
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4864
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18503Q5A, 145 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD18503Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4874
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4189
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
CSD18504Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
921-3066
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740SPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRF740SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9406
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL640SPBF, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRL640SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0456
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830ASPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 3.1 W,
制造商零件编号:
IRF830ASPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4110
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