产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510PBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRF510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5134
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5867NLT4G, 22 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
NVD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1099
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL510STRL-GE3, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
SIHL510STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0682
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF045N10A, 67 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
FDPF045N10A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8574
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRF9Z14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9478
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8647L, 52 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
FDD8647L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9119
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF134N10NJ3 G, 40 A, Vds=100 V, 2引脚 WDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
BSF134N10NJ3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2943
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510PBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRF510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0023
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRLZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0604
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510PBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRF9510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0018
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2216
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
FQPF19N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5247
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD7N20TM, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
FDD7N20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9106
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4936NT1G, 79 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
NTMFS4936NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4720
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Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z14S-GE3, 4.7 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
SIHF9Z14S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2673
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
FQPF16N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5231
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z10PBF, 4.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRF9Z10PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2679
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7998DP-T1-GE3, 15 A、21 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
SI7998DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1413
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 43 W,
制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3875
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