产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DiodesZetex (14)
Fairchild Semiconductor (5)
Infineon (5)
NXP (7)
ON Semiconductor (2)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF998
品牌:
NXP
库存编号:
509-289
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET BF904,215, 30 mA, Vds=7 V, 4引脚 SOT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF904,215
品牌:
NXP
库存编号:
510-005
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET BF992,215, 40 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF992,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2484
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS138W-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BSS138W-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2419
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DW-7-F, 115 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
2N7002DW-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2529
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN601WK-7, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
DMN601WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4206
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DW, 115 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
2N7002DW
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3571
搜索
ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTUD3169CZT5G, 250 mA,280 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-963封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
NTUD3169CZT5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4783
搜索
Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040WH6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-343封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF2040WH6814
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8429
搜索
Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130H6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BG3130H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8472
搜索
Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130RH6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BG3130RH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8475
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DDC115EU-7-F, 100 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
DDC115EU-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1271
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2106GTA, 450 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
ZVP2106GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
275-967
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET BF991,215, 20 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF991,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2462
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET BSS138DW-7-F, 200 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BSS138DW-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2481
搜索
ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTUD3170NZT5G, 280 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-963封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
NTUD3170NZT5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4792
搜索
Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BF2040E6814, 40 mA, Vds=8 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF2040E6814
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9263
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF999E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9430
搜索
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1201WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF1201WR,115
品牌:
NXP
库存编号:
626-2169
查看其他仓库
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1202WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF1202WR,115
品牌:
NXP
库存编号:
626-2181
查看其他仓库
DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET BSS8402DW-7-F, 110 mA,130 mA, Vds=50 V,60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BSS8402DW-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2510
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002MTF, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
2N7002MTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1138
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002W, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
2N7002W
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1144
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET BF996S,215, 30 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
BF996S,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2456
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 200 mW,
制造商零件编号:
2N7002
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0312
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号