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• Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ901D, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  BUZ901D
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-069
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW43N60DM2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STW43N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6483
  
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• Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906DP, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PBL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  BUZ906DP
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  197-9985
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FDP20N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4809
  
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• Semelab Si P沟道 MOSFET ALF16P16W, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  ALF16P16W
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  737-9592
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SIHP24N65E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9344
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STB57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STB57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2977
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STI57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STI57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3006
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  SIHG20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1266
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18532KCS, 169 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  CSD18532KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4880
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4H1ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5182
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5189
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP80N06S2L-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6993
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB20N50F, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  FDB20N50F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7975
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STP40N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5708
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB011N04N G, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IPB011N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6918
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB016N06L3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IPB016N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2899
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5010TRPBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5010TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5195
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB13N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9856
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STP57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2003
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  STB25N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2010
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5006TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5006TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7771
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5010TR2PBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 250 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5010TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7778
  
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